西安交通大学电信学院电子科学与技术2015年考试范围

时间:2015-06-01 17:17 点击:

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西安交通大学电信学院电子科学与技术2015考试范围
硕士生复试考试范围-电磁场理论

静电场,静电场边值问题,恒定电流场,恒定磁场,电磁感应,时变电磁场,平面电磁波,导行电磁波(矩形金属波导和矩形金属谐振腔)。

固体物理考试范围:

晶体结构和空间点阵理论,晶体X射线衍射理论,晶体互作用势和结合能,晶格振动理论和热学性质,晶体中的缺陷,金属自由电子理论和电学性质,固体能带理论

信号与系统考试范围:

信号与系统基本概念:信号基本运算,典型信号,系统模型及主要特性;LTI系统时域分析:卷积积分、卷积和、卷积性质与计算,用微分/差分方程描述的因果系统的经典解法,零输入/零状态响应;确定信号频谱分析:周期信号的傅立叶级数及周期信号的频谱表示,非周期信号的傅立叶变换及其性质,傅立叶级数与傅立叶变换的关系,抽样定理; LTI系统频域分析:频率响应,傅立叶分析法,无失真传输条件,理想滤波器; LTI系统复频域分析:拉氏变换及其收敛域,Z变换及其收敛域。变换性质以及典型信号的变换对。用单边拉氏变换和Z变换求解微分/差分方程。系统函数。系统方框图;状态方程:状态方程的建立,状态转移矩阵的求解;

半导体物理考试范围:

 1、应熟练掌握课本中所阐明的半导体物理的基本概念和各种关系。

2、理解和掌握本征半导体和非本征半导体的载流子浓度、费米能级以及载流子的漂移和扩散等运动规律。

3、理解和掌握非平衡载流子,特别是非平衡过剩载流子的产生、复合、漂移和扩散等运动规律。

4、掌握重要半导体器件的工作原理、特性、结构和设计方法。

5、熟悉影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。

6、熟悉pn结、双极性晶体管和MOSFET等器件的模型。

光电子学考试范围:

1. 光电子学与光电子技术领域发展历程及典型事件,信息光电子系统的构成及典型器件,

2. 光学基础知识与光场传播规律,

3. 激光的产生与传播及激光器,

4. 平板光波导与光纤中光导波分析,

5. 光在晶体中的传播及光调制,

6. 光电探测物理效应及典型光电探测器结构及工作原理,

7. 典型光电显示器的结构及工作原理

8. 典型光通信无源器件结构及工作原理

9. 典型光盘存储机理及光信息存储新技术

电介质物理考试范围:

1、    静电场中电介质的极化

2、   变化电场中电介质的极化

3、   电介质中的电导

4、   电介质的击穿

5、   晶体的压电性质

6、   晶体的自发极化与铁电性质

7、   电介质的光学性质

微电子系方向:

080902电路与系统

该专业01-02方向初试科目为849半导体物理(含MOS器件), 复试科目为:半导体集成电路。

080903微电子学与固体电子学

该专业01-04方向初试科目为849半导体物理(含MOS器件), 复试科目为:半导体集成电路

085209集成电路工程

该专业初试科目为849半导体物理(含MOS器件), 复试科目为:半导体集成电路

考试范围

849半导体物理(含MOS器件)考试范围

半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子PN结 金属和半导体接触 半导体表面和MIS结构 异质结基础概念 半导体的光学性质和光电与发光现象 霍耳效应 MOSFET的结构、直流特性、小信号模型、阈值电压、短沟道效应(小尺寸效应)

复试阶段半导体集成电路考试范围

模拟CMOS集成电路设计部分

1)单级放大器

2)差动放大器

3)无源与有源电流镜

4)放大器的频率特性

5)模拟集成电路中的反馈

6)运算放大器结构与设计

7)放大器的稳定性与频率补偿

数字集成电路设计部分

1)   CMOS反相器的静态特性和动态特性,反相器功耗;

2)   CMOS传输门;

3)   CMOS组合逻辑电路;

4)   CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器);

5)   动态CMOS逻辑电路(预充电-求值(PE)逻辑、多米诺逻辑);

6)   数字集成电路连线模型、延时、寄生参数;

7)   数字集成电路设计流程、设计方法。
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